Samsung entwickelt DDR4-RAM in 30-nm-Fertigung

Gestern hat Samsung bekannt gegeben, dass der Hersteller erfolgreich das industrieweit erste DDR4-Speichermodul in 30-nm-Prozesstechnologie hergestellt hat.

Das neue DDR4-Modul soll bei 1,2 Volt eine Transferrate von 2,133 GBit/s erreichen. Eine neue Technologie namens Pseudo Open Drain (POD) soll die Energieaufnahme beim Lesen und Schreiben von Daten auf die Hälfte dessen drücken, was ein DDR3-Modul im gleichen Betrieb zieht.

Zum Vergleich: Ein ebenfalls in 30-nm-Fertigung hergestelltes DDR3-Modul erreicht bei 1,35 und 1,5 Volt bis zu 1,5 GBit/s. Laut Samsung soll der neue DDR4-Speicher in einem Notebook (weitere Rahmenbedingungen nannte Samsung aber nicht) verbaut dessen totale Energieaufnahme um 40 Prozent reduzieren, wenn man es mit einem DDR3-Modul mit 1,5 Volt Versorgungsspannung vergleicht.

Samsung: "Durch eine neue Schaltkreisarchitektur wird Samsungs DDR4 mit Geschwindigkeiten von 1,6 bis 3,2 GBit/s laufen können. Typische DDR3- und DDR2-Module erreichen heute Geschwindigkeiten von 1,6 GBit/s bzw.800 MHz."

Nach eigener Aussage hat der Hersteller bereit letzten Monat einem Controller-Hersteller erste ungepufferte DDR4-Speichermodule (UDIMMs) mit 1,2 Volt und 2 GByte Kapazität zum Testen übergeben. Zudem gebe es konkrete Pläne zur engen Zusammenarbeit mit einer Anzahl von Server-Herstellern, um die Komplettierung der JEDEC-Standardisierung für DDR4-Technologien in der zweiten Jahreshälfte 2011 voranzutreiben.

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13 Kommentare
    Dein Kommentar
  • "...um die Komplettierung der JEDEC-Standardisierung für DDR4-Technologien in der zweiten Jahreshälfte 2001 voranzutreiben."
    Mist, ich hab mir noch DDR3 Ram gekauft, wie konnte ich auf einen 9 Jahre alten Standard setzten?
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  • Geändert. ;)
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  • 40% weniger Energieaufnahme sind echt beeindruckend, da soll noch einer sagen dass sich Stromsparende RAMs nicht lohnen.
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