Samsung und Micron wollen 3D-NAND voranbringen

Flash-Speicher hat sich durchgesetzt, was nicht zuletzt die immer weiter fallenden Preise für SSDs deutlich vor Augen führen. Allerdings stehen die Speicherhersteller vor dem Problem, das weitere Zuwächse bei der Speichergröße kaum mit weiteren Shrinks zu bewerkstelligen sind.

Speicherchips mit einer Größe von bis zu 16 Gigabyte werden mittlerweile sowohl von Micron, Samsung, SK Hynix als auch Toshiba und damit ebenso SanDisk angeboten.

Samsung hat auf der ISSCC einen 128-Gigabit-MLC-Chip mit einer Strukturbreite von 14 nm vorgestellt und dabei auf die Schwierigkeiten hingewiesen die sich bei der aktuellen Chip-Technologie ergeben: Die Größe einzelnen Speicherzellen konnten durch den Shrink von zuvor 16 auf nun 14 nm eigentlich nur um 13 Prozent reduziert werden. Lediglich mit einigen Tricks wurde am Ende eine effektive Verkleinerung von 26 Prozent erreicht. Zuvor wurde mit einem Shrink eine Reduzierung der Größe um durchschnittlich 32 Prozent bewerkstelligt.

Als Ausweg setzt Samsung bereits seit 2013 auf den sogenannten 3D V-NAND (3D Vertical NAND), bei dem Speicherschichten übereinander gestapelt werden. Die erste Version mit einer Kapzität von 128 Gigabit verfügte über 24 dieser Schichten. Bei der nun vorgestellten dritten Generation wird auf 48 Schichten gesetzt, sodass ein 256 Gigabit großer Speicher auf TLC-Basis möglich wird. Die Speicherzellen sollen künftig in SSDs mit einem Speichervolumen von bis zu 16 Terabyte verwendet werden.

In die gleiche Kerbe schlägt Micron. Auch der amerikanische Speicherspezialist präsentierte einen 3D-NAND-Chip mit 32 Speicherschichten und einer Speichergröße von 768 Gigabit, der eine Speicherdichte von 4,29 Gigabit pro mm² aufweist - und damit sogar noch eine höhere Packdichte aufweist als Samsung 48-Schicht-Chips. Toshiba und SanDisk haben ebenfalls 128- bzw. 256-Gigabit-Chips mit 48 Layern angekündigt.

Die Eile der Speicherhersteller kann aber auch damit begründet sein, dass sie den heißen Atem von Intel im Nacken spüren. Die Optane-Speicher mussten zwar zuletzt um nahezu ein Jahr verschoben werden, doch auch als 3D Xpoint bezeichnete Technologie, die auf PRAM basiert, soll eine um das zehnfache gesteigerte Speicherdichte und eine um den Faktor 1000 gesteigerte Haltbarkeit bieten.

Erstelle einen neuen Thread im News-Forum über dieses Thema
Dieser Thread ist für Kommentare geschlossen
Noch keine Kommentare
    Dein Kommentar