Everspins ST-MRAM ist 500mal schneller als NAND-Speicher

Die Frage, welche Speicherart den derzeitigen RAM-Arbeitsspeicher ersetzt, beschäftigt eine Vielzahl von Forschungs- und Entwicklungsabteilungen rund um den Globus, wobei die neuen Speicher gleich drei Kriterien erfüllen sollen: Sie sollten möglichst wenig Energie verbrauchen, nicht-flüchtig und dennoch kostengünstig in der Herstellung sein. Und natürlich sollte die Geschwindigkeit gegenüber aktuellen RAM-Modulen deutlich steigen.

Einen Prototypen, der diese Kriterien erfüllen könnte, wurde in dieser Woche von Everspin vorgestellt. Der Hersteller setzt bei der Speicherlösung auf die MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)-Speichertechnologie und zeigte ST-MRAM-Module mit einer Kapazität von 64 MB, die das Format herkömmlicher DDR3-Speicherriegel und somit eine DDR3-1600-Schnittstelle besitzen. Aufgrund der geringeren Latenzen sollen sie bis zu 500mal schneller als NAND-Speicher sein und beim Schreibprozess deutlich weniger Strom verbrauchen als konventionelle MRAM-Module.

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9 Kommentare
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    Dein Kommentar
  • shaadar
    500 mal schneller als NAND? Kein langer Weg mehr zum Androiden ;)
  • da_mobi
    Zitat:
    und beim Schreibprozess deutlich weniger Strom verbrauchen als konventionelle MRAM-Module.


    da sind wohl konventionelle NAND Module gemeint oder ?
  • THGLeser
    Nein das stimmt schon so... konventionelle MRAM gibt es ja schon nur die Spin-Torque-MRAMs (ST-MRAM) sind neu...