Micron und Intel drücken NAND Flash auf 25 nm

Micron und Intel haben erste Flash-Chips mit 3 Bit pro Zelle (TLC oder Triple-Level-Cell) hergestellt.

Solche Speicher sind bereits in USB-Sticks und MP3-Playern im Einsatz. Allerdings wollen die Firmen die Chips nicht in 34 nm produzieren, sondern in 25 nm. Damit können auf einem 300 mm-Wafer knapp 500 64-Gb-Chips (8 GB) untergebracht werden. Micron merkte an, dass ein Wafer mit 25 nm Flash-Chips damit knapp 4 TB Speicherkapazität birgt.

Bis Jahresende sollen die 25 nm-Chips in die Massenproduktion einfließen und könnten Anfang 2011 in Produkten wie Speicherkarten auftauchen. Theoretisch möglich wären damit vergleichsweise günstige 512 GB SSDs, iPods mit 128 GB Speicher oder iPhones mit 64 GB Kapazität. 

Flash, das mehr als ein Bit pro Zelle speichert, ist aber langsamer als das bevorzugte Single-Level-Cell (SLC) Flash und geht zudem nach weit weniger Schreib-/Lese-Zyklen die Luft aus. Tatsächlich dürften die 25-nm-Speicher, die bislang nur in 8 x 8 GB Form gezeigt wurden, zunächst in günstigen Compact Flash- und SD-Speicherkarten zum Einsatz kommen. SDXC-Karten sind derzeit mit bis zu 64 GB lieferbar und könnten in nicht allzuferner Zukunft bis zu 128 GB Platz zur Verfügung stellen.

Das ist schon die zweite Miniaturisierungs-Meldung innerhalb kürzester Zeit. Gestern hatte SanDisk eine briefmarkengroße SSD mit 64 GB Kapazität vorgestellt.