Anmelden mit
Registrieren | Anmelden

3D-III-V-Transistoren sollen 10-nm-Fertigung ermöglichen

Von , Douglas Perry - Quelle: Purdue University | B 6 kommentare

Nur Wochen vor dem Launch der ersten kommerziellen Prozessoren mit 3D-Transistor-Strukturen haben Purdue- und Harvard-Forscher die erfolgreiche Entwicklung eines Transistor verkündet, der Nanodrähte aus Indium-Gallium-Arsenid nutzt.

Die Wissenschaftler glauben, dass Indium-Gallium-Arsenid eines Tages Silizium ersetzen könnte, da es überlegene Elektronenflusseigenschaften besitzt. Materialien wie Indium-Gallium-Arsenid, die aufgrund ihrer Position in der dritten und fünften Gruppe des Periodensystems auch als III-V-Materialen bezeichnet werden, könnten den Elektronenfluss effizienter machen und künftig dünnere und leichtere Geräte ermöglichen.

"Industrie und Wissenschaft entwickeln mit Hochdruck Transistoren aus III-V-Materialien", so Peide Ye, Professor in der Electrical and Computer Engineering-Abteilung der US-amerikanischen Purdue University. "Hier haben wir den weltweit ersten 3-D gate-all-around Transistor entwickelt, der mit Indium-Gallium-Arsenid auf Materialien mit höher Mobilität als Silizium basiert." Details der Erfindung werden gegenwärtig auf dem International Electron Devices Meeting in Washington, D.C. gezeigt.

"Sobald man Gate-Breiten auf 22 Nanometer in Silizium schrumpft, wird das Strukturdesign zunehmend kompliziert", so Ye. "Das ideale Gate ist eine Hals-artige Gate-all-around-Struktur, so dass das Gate den Transistor von allen Seiten umgibt."

Er glaubt, dass 14-nm-Chip-Designs gerade noch so mit Silizium umsetzbar sind, aber alles darunter aller Wahrscheinlichkeit nach neue Materialien erfordern wird. "Nanodrähte aus aus III-V-Legierungen werden uns den 10-Nanometer-Bereich eröffnen", so Ye.

Kommentarbereich
Kommentieren Alle 6 Kommentare anzeigen.
Sortieren nach: Neueste zuerst | Älteste zuerst
  • noskill , 8. Dezember 2011 12:50
    Totaler Quatsch, dass Indium und Gallium jemals Silizium ersetzen könnten, weil die Vorkommen auf der Erde viel zu gering sind.
    Das reicht ggf. für einige Spezialanwendungen aber nicht um Silizium vollständig abzulösen.
  • sprotty0 , 8. Dezember 2011 14:45
    Naja, ich wäre nicht so sicher, ab InGaAs oder ähnliche Materialien das Silizium nicht ersetzen werden. Reicht ja aus, wenn die funktionale Schicht ersetzt wird. Und da wir heute schon von Schichtdicken im Nanometerbereich sprechen, ist der Materialaufwand sehr gering und der Gewinn durch extreme Ladungsträgerbeweglichkeiten im Vergleich zu Si enorm.
  • paradoxx87@guest , 8. Dezember 2011 15:00
    Einen Tipp an den Autor, lern mal die deutsche Rechschreibung ....
  • Anonymous , 8. Dezember 2011 20:03
    Tipp an Gäste:
    Wer sich als Narr verdingen will (siehe oben), gehe zum Zirkus, denn da wird man sogar dafür bezahlt.
    Wer über Hardware diskutieren möchte, sollte sich im Forum anmelden.
    Wer einfach nur schlechte Laune rauslassen will, ist hier unerwünscht.

    Ich find's verblüffend, wie in der Hardwareindustrie regelmäßig Dinge erreicht werden, die zuvor von fast allen für unmöglich gehalten wurden.

    Aetius
  • laforma@1336315563@guest , 9. Dezember 2011 12:53
    hey paradoxx87... es heisst rechtschreibung, nicht rechschreibung.
  • anbra@guest , 10. Dezember 2011 22:53
    Also zum thema reichen die Vorkommen an indium und gallium aus.
    beide metalle kommen um ein vielfaches häufiger in der erdkruste vor wie gold und jetzt denkt mal nach wo gold überall verwendet wird.
    noch dazu reden wir hier nur von einem gate da befinden wir uns jetzt schon im bereich von einigen atomlagen was die dicke angeht
Ihre Reaktion auf diesen Artikel