3D-III-V-Transistoren sollen 10-nm-Fertigung ermöglichen

Die Wissenschaftler glauben, dass Indium-Gallium-Arsenid eines Tages Silizium ersetzen könnte, da es überlegene Elektronenflusseigenschaften besitzt. Materialien wie Indium-Gallium-Arsenid, die aufgrund ihrer Position in der dritten und fünften Gruppe des Periodensystems auch als III-V-Materialen bezeichnet werden, könnten den Elektronenfluss effizienter machen und künftig dünnere und leichtere Geräte ermöglichen.

"Industrie und Wissenschaft entwickeln mit Hochdruck Transistoren aus III-V-Materialien", so Peide Ye, Professor in der Electrical and Computer Engineering-Abteilung der US-amerikanischen Purdue University. "Hier haben wir den weltweit ersten 3-D gate-all-around Transistor entwickelt, der mit Indium-Gallium-Arsenid auf Materialien mit höher Mobilität als Silizium basiert." Details der Erfindung werden gegenwärtig auf dem International Electron Devices Meeting in Washington, D.C. gezeigt.

"Sobald man Gate-Breiten auf 22 Nanometer in Silizium schrumpft, wird das Strukturdesign zunehmend kompliziert", so Ye. "Das ideale Gate ist eine Hals-artige Gate-all-around-Struktur, so dass das Gate den Transistor von allen Seiten umgibt."

Er glaubt, dass 14-nm-Chip-Designs gerade noch so mit Silizium umsetzbar sind, aber alles darunter aller Wahrscheinlichkeit nach neue Materialien erfordern wird. "Nanodrähte aus aus III-V-Legierungen werden uns den 10-Nanometer-Bereich eröffnen", so Ye.

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6 Kommentare
    Dein Kommentar
  • noskill
    Totaler Quatsch, dass Indium und Gallium jemals Silizium ersetzen könnten, weil die Vorkommen auf der Erde viel zu gering sind.
    Das reicht ggf. für einige Spezialanwendungen aber nicht um Silizium vollständig abzulösen.
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  • sprotty0
    Naja, ich wäre nicht so sicher, ab InGaAs oder ähnliche Materialien das Silizium nicht ersetzen werden. Reicht ja aus, wenn die funktionale Schicht ersetzt wird. Und da wir heute schon von Schichtdicken im Nanometerbereich sprechen, ist der Materialaufwand sehr gering und der Gewinn durch extreme Ladungsträgerbeweglichkeiten im Vergleich zu Si enorm.
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  • paradoxx87@guest
    Einen Tipp an den Autor, lern mal die deutsche Rechschreibung ....
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