Infineon produziert Leistungshalbleiter auf 300-mm-Dünnwafern

Das neue Produktionsverfahren verspricht eine erhebliche Steigerung der Ausbeute pro Wafer

Bereits im Oktober vergangenen Jahres hatte Infineon angekündigt, Leistungshalbleiter auf Wafern mit einem Durchmesser von 300 mm herstellen zu wollen. Diese versprechen, im Vergleich zu den kleineren 200-mm-Wafern eine wesentlich höhere Ausbeute, nicht nur weil aufgrund mehr Chips aus einem Wafer gewonnen werden können, sondern auch weil der Verschnitt erheblich sinkt.

Größtes Problem hierbei war allerdings bisher, dieselben Eigenschaften wie bei 200-mm-Wafern und so ein gleichbleibende Qualität der Chips trotz höherer Stückzahlen garantieren zu können. Um dieses Problem zu lösen wurde dazu im österreichischen Villach eine erste Pilotanlage aufgebaut. Nun, ein Jahr später, vermeldet das Team, das aus insgesamt 50 Forschern besteht den Durchbruch.

In einem nächsten Schritt soll die bisher nur im Versuch arbeitende Fertigungs-Technologie in den Produktionsalltag eingeführt werden. Dazu kündigt der Konzern einen weiteren Ausbau seines Werkes in Dresden an. Bis 2014 sollen in der sächsischen Landeshauptstadt 250 Millionen Euro investiert und 250 neue Arbeitsplätze geschaffen werden.