Micron gibt bekannt, mit der Massenproduktion von DDR3L-RS-Modulen begonnen zu haben, die in einer Strukturbreite von 30 nm gefertigt werden. Die Speichermodule zeichnen sich vor allem durch einen geringen Energieverbrauch aus und sind mit Kapazitäten von 2 GB bis 4 GB für den Einsatz in Ultrabooks bestimmt.
Dabei steht das Kürzel RS für "Reduced Standby". Die Module, die im Normalbetrieb eine Betriebsspannung von 1,35 V benötigen, sollen vor allem im Standby weniger Strom verbrauchen. Und das obwohl DDR-Speicher ein flüchtiger Speicher ist, der ständig "unter Strom" stehen muss um seine zu behalten. Micron verrät keine Zahlen, allerdings hat Hynix vor kurzem einen in 20 nm gefertigten Prototypen vorgestellt, der einen um 70% verringerten Energiebedarf aufwies. Die Verwendung DDR3L-RS-Speicher sollte also durchaus einen spürbaren Einfluss auf die Akkulaufzeiten jeweiligen des Ultrabooks haben.
Micron ist der erste Hersteller, der zertifizierte DDR3L-RS-Speichermodule auf den Markt bringen wird, die in Systemen mit Ivy-Bridge-Chips genutzt werden sollen. Darüber hinaus hat der Hersteller damit begonnen Module mit einer Größe von 8 GB zu testen. Diese sollen im Dezember in den Handel kommen. Zu Beginn des kommenden Jahres sollen dann erste DDR4-RS-Module präsentiert werden.