Samsung entwickelt bereits Fertigungsverfahren für 4-nmn-Chips

Samsung hat eine Raodmap für seine Chipfertigung vorgestellt, mit der zwar noch keine präzisen Termine genannt wurden, allerdings ließ der Hersteller durchblicken, dass bereits an einem neuen Fertigunsverfahren gearbeitet wird: Demnach wird ein Prozess für die Fertigung von Transistoren mit einem kreisförmigen Gitter (Gate All Around FET) entwickelt, der erstmals bei Chips mit einer Strukturbreite von vier Nanometern eingesetzt werden soll, die auf die 5-Nanomter-Chips folgen. Bei letzterem Verfahren handelt es sich wohl um eine Optimierung des zuvor genutzten 6-Nanometer-Prozess.

Der neue Fahrplan deutet dabei vor allem eine Entwicklung an: Die Zeit der großen Sprünge, die in den vergangenen fünf Jahren realisiert worden, sind vorbei. Derzeit bewerkstelligt die weltweite Nummer 2 der Chipfabrikanten Prozessoren mit einer Strukturbreite von 10 Nanometern, im kommenden Entwicklungsschritt soll diese auf acht Nanometer sinken. Anschließend soll auf einen 7-Nanometer-Prozess umgesattelt werden, mit der ein EUV-Laser eingeführt werden soll. Es geht wohl in kleinen Schritten in Richtung physikalische Grenze.

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