Elpida steigt auf 90 nm-Produktionsprozess für DDR-Speicher um

Elpida hat angekündigt, zum Jahreswechsel mit der Produktion von DDR2-SDRAM in 90 nm Strukturbreite zu beginnen und den aktuellen 100 nm-Produktionsprozess auslaufen zu lassen.

Mit dem Umstieg gewinnt der Hersteller pro Wafer ungefähr 20 Prozent mehr Speicher und kann somit die Produktionskosten drücken. Die Technologie soll zunächst bei 512 Mbit- und 1-Gbit DDR-Speichern eingesetzt werden. Nach Firmenangaben sei der Technologiewechsel ebenso notwendig, um die Speicherbandbreite bis auf 800 Mbit/s und höher anzuheben.

Elpida ist nach Samsung der zweite der großen Speicherhersteller, der einen Übergang auf 90 nm ankündigt. Samsung hatte diesen Schritt bereits im vergangenen August erwähnt, will jedoch ebenso erst Anfang 2005 mit der Massenfertigung beginnen. Samsung hat ebenso erklärt, seine Marktanteile im DRAM-Speichermarkt im kommenden Jahr auf bis zu 75 Prozent ausbauen zu wollen. Dies soll insbesondere durch Preissenkungen erreicht werden, so das Unternehmen.

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