Infineon drückt Strukturbreite von Flash auf 20 nm

Infineon hat nach eigenen die weltweit kleinste Flash-Speciherzelle hergestellt. Mit einer Strukturbreite von 20 Nanometer sei die Zelle etwa 5000 mal dünner als ein menschliches Haar, teilte das Unternehmen mit. Im Gegensatz zu bisherigen Produktionsprozessen setzt Infineon eine acht Nanometer dünne "Finne", die die elektrostatische Kontrolle der Transistoren erheblich verbessern soll, als Herz des Zellenkomplexes ein.

Obwohl Flash bereits vor 16 Jahren entwickelt wurde, ist die Speichertechnologie heute populärer denn je. Der Erfolg von kompakten Audio-Playern, digitalen Kameras und Speichersticks treibt die Umsätze von Quartal zu Quartal immer noch auf neue Rekordwerte. Flash wird gegenwärtig in Strukturbreiten zwischen 170 und 90 nm hergestellt. Eine weitere Verringerung der Strukturbreite wird von der Branche als kritisches Kriterium angesehen, um Flash gegen potenzielle Nachfolgetechnologien wie MRAM konkurrenzfähig zu halten.

Die Ankündigung Infineons ist allerdings ein Indiz, dass die Halbleiterbranche noch recht zuversichtlich ist, die Strukturbreite weiter drücken zu können und Flashs Position als beliebtester nicht-flüchtiger Speicher bis über das Jahr 2008 hinaus sicherzustellen. Solange die Branche auf keine erstnhaften Skalierungsbarrieren trifft, dürfte die Dominanz der Technologie nicht zu brechen sein. Die Finnen-Technologien werde Massenmarktspeicher mit einer Kapazität von 32 Mbit innerhalb "weniger Jahre" ermöglichen, so Infineon.