Command Rate CMD (1

(Command Rate, MA 1T/2T Select) Anzahl der notwendigen Taktzyklen, um das Speichermodul und den Speicherchip mit dem gewünschten Datenbereich anzusteuern. Bei voll bestückten Speicherbänken muss der Wert auf 2 erhöht werden. Dies führt zu einem merklichen Performance-Verlust.

RAS-Precharge-Time tRP (2 /3)

(RAS Precharge, Precharge to active) Anzahl der Taktzyklen zum Vorladen der Datenleitungen bis zum Anlegen der Spaltenadressierung.

RAS-to-CAS-Delay tRCD (2 /3/4/5)

(RAS to CAS Delay, Active to CMD) Zeit zwischen Anlegen der Zeilenadresse und Übertragen der Spaltenadresse. Die Einstellung von 2 Taktzyklen bringt bis zu vier Prozent mehr Leistung.

Row-Active-Time tRAS (5 /6/7)

(Active to Precharge Delay, Precharge Wait State, Row active Delay, Row Precharge Delay) Verzögerung, wenn nacheinander zwei unterschiedliche Zeilen eines Speicherchips angesprochen werden.

Speichertakt (100/133/166/200 MHz)

(DRAM Clock) Gibt die Taktrate des Speicherbusses vor. Der Wert wird meist im Verhältnis zum Front-Side-Bus-Takt angegeben. DDR-Technik (Double Date Rate) sorgt für eine doppelte Datenrate gegenüber dem realen Bustakt.

Link schicken Sie diese Seite per E-Mail :

Ihre E-Mail-Adresse *

Ihr Name *

E-Mail des Empfängers *

Absenden

* Diese Email wurde automatisch generiert. Eventuelle Antworten werden nicht überwacht. Falls Sie uns kontaktieren wollen, nutzen Sie bitte das Formular auf der Kontaktseite