Samsung steigert Kapazität und Geschwindigkeit bei GDDR6-Speicherchips

Samsung verkündet den Start der Serienproduktion von GDDR6-Speicher. Die neuen Speicherchips, die in einem 1x-nm-Fertigungsprozess entstehen, basieren jedoch nicht nur auf einem neuen Standard, sondern bieten auch ein höheres Speichervolumen: Während bei den GDDR5-Chips noch acht Gigabit bereitgestellt wurden, konnte die Kapazität nun auf 16 Gbit verdoppelt werden. Gleiches gilt für die Übertragungsgeschwindigkeit. Samsung bewerkstelligt bei den GDDR6-Speicherchips pro Pin Geschwindigkeiten von 18 Gbit/s, sodass Transferraten von bis zu 72 GB/s erreicht werden, wobei ein 32 Bit breiter Speicherbus genutzt wird. Damit wird eine Performance geboten, die noch über dem liegt, was ursprünglich erwartet wurde: Gerüchte im August letzten Jahres deuteten eine Geschwindigkeit von bis zu 16 Gbit/s an.

Trotz einer deutlichen Steigerung der Performance konnten die Koreaner gleichzeitig den Energieverbrauch ihrer GDDR6-Speicherchips spürbar reduzieren. Diese arbeiten nun mit einer Betriebsspannung von 1,35 Volt, was eine Verringerung von 35 Prozent gegenüber den GDDR5-Pendants bedeutet, die an dieser Stelle noch mit 1,55 Volt arbeiten.

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