Rambus präsentiert HBM-Speicher der zweiten Generation

Rambus galt einst als einer der Spezialisten im Bereich von (Arbeits-)Speicher, der sich mit seinen RDRAM-Modulen jedoch nicht gegen die SDRAM-Speichertechnik durchsetzen konnte.

Rambus dürfte vielen IT-Interessierten auch noch wegen der diversen dubiosen (Patents-)Rechtsstreitigkeiten in Erinnerung sein, die das Unternehmen Anfang der 2000er führte.

Seither tauchte Rambus immer wieder als Entwickler verschiedener Sensoren usw. auf, die anderem Herstellern in Form von Lizenzen zur Verfügung gestellt werden.

Nun kehrt der Hersteller zu seinen Wurzeln zurück und kündigt die Verfügbarkeit seines "High Bandwidth Memory (HBM) Gen2 PHY" an, der vollständig kompatibel zu den JEDEC-HBM2-Spezifikationen sein und eine Übertragungsgeschwindigkeit von 2000 MBit/s pro Pin schaffen soll. Das entspricht einer maximalen Bandbreite von 256 GByte/s.

Der Speicher, der im 14-Nanometer-FinFET-Verfahren bei Globalfoundries gefertigt wird, soll Entwicklern von Lösungen für Datenzentren zur Verfügung gestellt werden, die nach Hochleistungsspeicher suchen, der näher an die CPU gerückt werden kann und für höhere Geschwindigkeiten und größere Durchsätze sorgt. Dazu setzt Rambus auf ein 2,5D-Packaging, bei dem der Speicher auf dem Interposer des Chips untergebracht wird, sowie ein 1024 Bit breites Interface.

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