Samsung fertigt 8 GBit große DDR4-Speicherchips in 20 nm

Samsung hat einen weiteren Fortschritt bei der Speicherproduktion verkündet: Der Hersteller beginnt die Massenproduktion von acht Gigabit großen DDR4-Speicherbausteinen in einer Strukturbreite von 20 nm.

Die Module sind für den Einsatz in Servern bestimmt sind und sollen in RDIMM-Modulen (Registered Dual In-Line Mermory Module) mit einer Kapazität von 32 Gigabyte verbaut werden.

Die Speicherbausteine leisten eine Taktgeschwindigkeit von 2400 MHz und arbeiten mit einer Betriebsspannung von 1,2 Volt. Latenzzeiten hat der Hersteller nicht bekanntgegeben.

Offen ist auch der Preis, der neuen DDR4-Speicherriegel verlangt werden soll. Ein ist klar: Billig werden sie wohl nicht werden.

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