Samsung fertigt zweite Generation von 10-nm-DRAM-Chips

Samsung hat mit der Serienfertigung der zweiten Generation seiner 1x-nm-DRAM-Speicherchips begonnen, die im DDR4-Format gefertigt werden und eine Speicherkapazität von 8 Gigabit bieten. Sie sollen hinsichtlich der Performance und der Energieeffizienz neue Maßstäbe setzen: Im Vergleich zum Vorgänger steigt die Geschwindigkeit von 3200 Mb/s auf 3600 Mb/s, gleichzeitig soll die Energieeffizienz um zehn bis 15 Prozent verbessert worden sein. Außerdem sollen die neuen Speicherchips die kleinsten ihrer Art sein.

Mit den neuen DRAM-Chips hat Samsung allem Anschein nach einen noch größeren Entwicklungsfortschritt erzielt, denn gleichzeitig wird verkündet, dass die nächste DRAM-Generation wesentlich früher als ursprünglich geplant vorgestellt werden soll. Damit sollen auch Speicherchips im DDR5-, HBM3-, LPDDR5- und GDDR6-Format schneller auf den Markt kommen. Konkrete Zeitfenster nannte der Hersteller jedoch nicht.

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