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Samsung 256 GByte-UFS 2.0 Speicher liest mit 850 MB/s

Von - Quelle: Samsung | B 0 kommentare

Der neue UFS-2-Embedded Memory des Herstellers Samsung bietet eine Speicherkapazität von bis zu 256 GByte und soll mit bis zu 260 MByte/s schreiben - und erhöht damit den Abstand zum konkurrierenden eMMC-Speicher.

Mit einer sequenziellen Lesegeschwindigkeit von bis zu 850 MByte/s übertrifft der neue Speicher Herstellerangaben zufolge übliche SATA-SSDs - SATA III kann (theoretisch) maximal 600 MByte in der Sekunde übertragen und auch USB 3.0 (theoretisch bis zu 500 MB/s) könnte sich bei der Datenübertragung von Mobilgeräten mit dem UFS-2-Speicher als Flaschenhals erweisen. 

Durch die Verwendung von Samsungs „fortschrittlichen V-NAND Flash Memory“ soll sich auch die Leistung bei zufälligen Zugriffen im Vergleich zur vorherigen Generation von 19.000 auf 45.000 und 14.000 auf 40.000 IOPS (Lesen/Schreiben) mehr als verdoppelt haben. Zu den genauen Abmessungen der Speichermodule äußert sich der Hersteller noch nicht, diese sollen aber kleiner als eine microSD-Karte sein. Die Vorgängergeneration fand auf 11,5 mm × 13 mm Platz. 

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