Samsung: Ausbau der Speicherfertigung verschoben

Samsung hat Pläne für den Ausbau seiner Speicherfertigung im chinesischen Xian zunächst auf Eis gelegt.

Eigentlich sollte der Standort, der seit der Eröffnung 2014 monatlich 100.000 Wafer für die V-NAND-Speicherchips fertigt, in einer zweite Investitionsphase noch einmal deutlich vergrößert werden, doch der Hersteller will allem Anschein nach zunächst die Entwicklung der Konkurrenten abwarten.

In der vergangenen Woche wurde bekannt, dass Sandisk und Toshiba 3,4 Milliarden Dollar in den Aufbau einer gemeinsamen Produktionsanlage investieren wollen, die 2017 ihren Betrieb aufnehmen soll. Gleichzeitig werden auch Intel und Micron mit der Serienfertigung ihres 3D-NAND-Speichers beginnen.

Nun befürchten die Koreaner, mit einer Erhöhung ihrer Produktionskapaziät zum falschen Zeitpunkt den Markt zu betreten und den Aufbau von Überkapazitäten zu befördern.

Samsung hat dabei vermutlich die aktuelle Situation vor Augen: Die Preise für Flash-basierte Speicherlösungen sinken seit Monaten. Zuletzt musste SK Hynix bei Umsatz und Gewinn herbe Rückgänge verbuchen.

Aufgeschoben heißt allerdings nicht aufgehoben: Die Erweiterung der Produktion in Xian soll frühstens im zweiten Halbjahr diesen Jahres, möglicherweise aber auch erst 2017 beginnen. Kommen soll sie nach jetzigem Stand aber in jedem Fall.

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