Fazit:
SiS 645DX mit DDR333 schlägt Intel 850 mit PC800

Sehr überraschend fällt das Fazit dieses Vergleichstests der verschiedenen Plattformen für P4 aus: In 10 von 16 Benchmarkkategorien übertrifft der SiS 645DX den Intel 850. Dabei fällt der neue Chipsatz besonders durch seine hohe I/O-Performance auf, die zusätzlich durch eine niedrige CPU-Auslastung begleitet wird. Dass der taiwanesische Hersteller das Speicherinterface der Northbridge überarbeitet hat, zeigen die eindrucksvollen Benchmarkresultate.

Und was man nicht vergessen darf: Im Gegensatz zum Konkurrenten VIA, der seinen Chipsatz ohne Lizenz von Intel quasi illegal feilbietet, hat SiS entsprechende vertragliche Vereinbarungen getroffen. Damit ist der Weg frei für den Massenmarkt, der schon lange auf eine Alternative zum teuren Intel 850 samt RDRAM wartet.

SiS hat einen Vorsprung von mindestens zwei Monaten, jedenfalls so lange, bis Intel den 845E mit 133-MHz-Support herausbringt. Allerdings muss auch gesagt werden, dass der SiS 645DX nur im Zusammenspiel mit speziellem DDR333-Speicher die von uns gemessene Performance entwickelt und sich als ernsthafter Rambus-Gegner positioniert. Es bleibt abzuwarten, wie sich die Preise für DDR333-Module (CL2.0) entwickeln werden, denn RDRAM (PC800) ist derzeit zum gleichen Preis wie DDR266 (CL2.0) zu haben. Einige OEM-Produzenten werden aus Kostengründen den SiS 645DX mit DDR266 (CL2.5) kombinieren - damit ist allerdings der Geschwindigkeitsvorsprung dahin.

Leichte Abstriche muss der Käufer eines SiS 645DX-Boards machen, was moderne Features betrifft: Die aktuelle Southbridge unterstützt lediglich Ultra-DMA/100 sowie USB 1.1. Für die Zukunft wären ATA/133 und USB 2.0 von Vorteil.

Asus und MSI stehen in den Startlöchern, um erste Platinen mit SiS 645DX anzubieten. Die Firma SiS hat mit dem 645DX einen überzeugenden Baustein im Angebot, der hoffentlich schnell am Markt verfügbar sein wird. Die Konkurrenz um VIA ist nahezu ausgeschaltet - kaum ein Motherboardhersteller wird den nicht freigegebenen Baustein anbieten.