3D XPoint: PRAM von Intel und Micron verspätet sich

Im Juli vergangenen Jahres hatten Intel und Micron eine neue Speichertechnologie namens 3D Xpoint vorgestellt, die die Geschwindigkeit genauso wie die Haltbarkeit um den Faktor 1000 im Vergleich zu klassischen NAND-Zellen steigern soll. IBM hatte bereits eine um das 275-fache gesteigerte Speichergeschwindigkeit demonstriert. Im November hatte sich angedeutet, dass Intel die Technologie in der zweiten Jahreshälfte 2016 mit den Kaby-Lake-Prozessoren einführen wollte.

Daraus scheint allerdings nichts zu werden, wie nun Guy Blalock zu Protokoll gibt. Der Chef des Intel-Micron-Jointventures, IM Flash, deutet an, dass die Speichertechnologie erst in zwölf bis 18 Monaten zur Verfügung stehen wird. Erste Produkte, die auf die Technologie zurückgreifen, etwa Intels Optane-SSDs, werden demnach nicht vor 2017 auf den Markt kommen.

Gleichzeitig verriet Blalock die grundlegende Technologie, die für die 3D-Xpoint-Speicher genutzt wird. Es soll sich dabei um PRAM-Speicher handeln. Auch hierrüber wurde bereits seit Sommer 2015 spekuliert.

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