IBM und Infineon kündigen Durchbruch bei MRAM-Speicher an

Die Halbleiterhersteller IBM und Infineon zeigen ihre Fortschritte in der Magnetic Random Access Memory Technik, (MRAM) auf dem heute beginnenden VLSI Symposium in Kyoto, Japan. MRAM befindet sich seit den Siebzigern in der Entwicklung und zeichnet sich gegenüber dem aktuell verwendeten RAM dadurch aus, dass Informationen beim Ausschalten des Geräts nicht verloren gehen bzw. nicht auf eine Fesplatte zurückgespeichert werden müssen. Sobald MRAM-Technik kommerziell verfügbar ist, entfällt z.B. der Bootvorgang bei PCs und Mobilgeräten. Ab 2005 soll es nach einer gemeinsamen Erklärung von IBM und Infineon soweit sein.

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