Qualcomm Snapdragon 845 wird in 10 Nanometern gefertigt

In dieser Woche hatte Samsung bekannt gegeben, die Entwickung eines neuen Fertigungsprozess für die Chipfertigung abgeschlossen zu haben: Die Koreaner werden künftig das sogenannten 8-nm-Low-Power-Plus-Verfahren anbieten, mit dem die Strukturbreite von Chips weiter gesenkt werden kann - aktuell gelten 10 Nanometer als das Maß der Dinge. Allerdings wird zumindest Qualcomm bei seinem neuesten Highend-SoC allem Anschein nach nicht von diesem Entwicklungsschritt profitieren, obwohl die Amerikaner ihre SoCs derzeit von Samsung fertigen lassen.

Nach Informationen von Fudzilla soll das kommende Highend-SoC des Herstellers, das Snapdragon 845, wie das aktuelle Modell auch, in einer Strukturbreite von 10 Nanometern gefertigt werden. Die nächste Verkleinerungsstufe wird damit vermutlich erst im kommenden Jahr angekündigt: Bis Mitte 2018 soll die Serienfertigung von 7-nm-Chips anlaufen, bei der Samsung erstmals auf die EUV-Technologie setzen will.

Möglicherweise wurde die Entwicklung des 8-nm-Prozess nicht rechtzeitig abgeschlossen, sodass Qualcomm die nötigen Änderungen nicht mehr in das neue SoC einfließen lassen konnte, schließlich werden bei Veränderungen der Strukturbreite auch umfangreiche architektonische Anpassungen nötig. Qualcomm scheint dagegen beim Snapdragon-835-Nachfolger auf eine umfassende Revision seiner Kryo-CPU-Kerne sowie der Adreno-GPU zu setzen und auf diesem Weg neue Leistungspotentiale erschließen zu wollen.

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